湖北省武汉外国语学校2023-2024学年高二上学期期末考试物理试题
武汉外国语学校 2023—2024 学年度上学期期末考试
高二物理试题
考试时间: 2024 年 1 月 26 日 考试时长:75 分钟 满分: 100 分
一. 选择题(本题共 10 小题,其中 1-7 为单选,每小题 4 分; 7-10 为多选,每小题 4 分,
全选对的得 4 分,选对但不全的得 2 分,有选错或不选的得 0 分,共计 40 分。)
1. 对于下列教材中所列的实验和生活用品,说法正确的是( )
A. 甲图中,两根通电方向相反的长直导线相互排斥,是通过电场实现的
B. 乙图中,若在 ab 的两端接上大小和方向发生周期性变化的电流,则接在 cd 端的电流
表会有偏转
C. 丙图中,电磁炉利用其线圈产生的涡流来加热食物
D. 奥斯特利用丁图实验装置发现了电磁感应现象
2. 如图所示,图甲和图乙是教材中演示自感现象的两个
电路图,L₁和 L₂为电感线圈. 实验时,断开开关 S₁瞬间,
灯 A₁突然闪亮,随后逐渐变暗; 闭合开关 S₂,灯
A₂
逐
渐变亮. 而另一个相同的灯 A₃立即变亮,最终 A₂与 A₃的
亮度相同. 下列说法正确的是( )
A. 图甲中,A₁与 L₁的直流电阻值相同
B. 图甲中, 闭合 S₁, 电路稳定时, A₁中电流大于,
L₁
中电流
C. 图乙中,变阻器 R 与 L₂的直流电阻阻值相同
D. 图乙中,闭合 S₂瞬间,L₂中电流与变阻器 R 中电流相等
3. 如图所示,直角三角形 ABC 区域中存在一匀强磁场,磁感应强度为 B,已知 AB 边长为 L
∠C=30° ,
比荷均为 m 的带正电粒子以不同的速率从 A 点沿 AB 方向射入磁场(不计粒子重力)
,则( )
A. 粒子速度越大,在磁场中运动的时间越短
B. 粒子速度越大,在磁场中运动的路程越大
C. 粒子在磁场中运动的最短时间为
2πm
3qB
D. 粒子在磁场中运动的最长路程为
2
3πL
4. 如图所示,两固定在绝缘水平面上的同心金属圆环 P、Q 水平放置,圆环 P 中通有如图
所示的电流,以图示方向为电流正方向,下列说法正确的是( )
A.
T
4
时刻,两圆环相互排斥
B.
T
2
时刻,圆环 Q 中感应电流最大,受到的安培力最大
C . T
4∼3T
4
时间内,圆环 Q 中感应电流始终沿逆时针方向
D . 3T
4∼T
时间内,圆环 Q 有收缩的趋势
5. 1831 年 10 月 28 日,法拉第展示人类历史上第一台发电机---圆盘发电机,如图为法拉
第圆盘发电机的示意图,铜圆盘安装在竖直的铜轴上,两铜片 P、Q 分别与圆盘的边缘和铜
轴接触,圆盘处于方向竖直向上的匀强磁场 B 中,圆盘以角速度 ω 顺时针旋转(从上往下
看),则( )
A. 圆盘转动过程中电流沿 b 到 a 的方向流过电阻 R
B. 圆盘转动过程中 Q 点电势比 P 点电势低
C. 若圆盘转动的角速度变为原来的 3 倍,则转动一周,R 上产生的焦耳热也变为原来的 3
倍
D. 圆盘转动过程中产生的电动势大小与圆盘半径成正比
6. 如图甲所示,光滑平行金属导轨 MN、PQ 所在平面与水平面成θ角,M、P 两端接一电
阻为 R 的定值电阻,电阻为 r的金属棒ab 垂直导轨放置,其他部分电阻不计. 整个装置处
在磁感应强度大小为 B、方向垂直导轨平面向上的匀强磁场中。t=0 时对金属棒施加一平行
于导轨向上的外力 F,使金属棒由静止开始沿导轨向上运动,通过定值电阻 R 的电荷量q随
时间的平方 t² 变化的关系如图乙所示. 下列关于穿过回路 abPMa 的磁通量 φ、金属棒的加
速度 a、外力 F、通过电阻 R 的电流 I随时间 t变化的图象中正确的是( )
7. 如图所示,ACD、EFG 为两根相距L 的足够长的金属直角导轨,它们被竖直固定在绝缘
水平面上,CDGF 面与水平面成 θ 角. 两导轨所在空间存在垂直于 CDGF 平面向上的匀强磁
场,磁感应强度大小为 B. 两根质量均为 m、长度均为 L 的金属细杆 ab、cd 与导轨垂直
接触形成闭合回路,杆与导轨之间的动摩擦因数均为 μ,两金属细杆的电阻均为 R,导轨
电阻不计. 当ab 以速度 v₁沿导轨向下匀速运动时,cd 杆正好以速度 v₂向下匀速运动,重
力加速度为 g. 以下说法正确的是
A. 回路中的电流强度为
BL
(
v1+v2
)
2R
B. ab 杆所受摩擦力为
mgsinθ
C. cd 杆所受摩擦力为
μ
(
mgsin θ−B2L2v1
2R
)
D. 由cd 棒的运动可知,
μ
与
v₁
大小关系满足
1
μ=tan θ+B2L2v1
2Rmg cos θ
8. 笔记本电脑机身和显示屏对应部位分别有磁体和霍尔元件,当显示屏开启时磁体远离霍
尔元件,电脑正常工作; 当显示屏闭合时磁体靠近霍尔元件, 电脑进入休眠状态。休眠状
态时、简化原理如图所示,宽为 a、厚为 b、长为 c 的矩形半导体霍尔元件处于垂直于上表
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